參數(shù)資料
型號： 2SB1676
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220FN, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 53K
代理商： 2SB1676
2SB1676
Transistors
Medium Power Transistor
(Motor, Relay drive) (
80V, 4A)
2SB1676
!
!Features
1) Darlington connection for a high hFE.
2) Built-in resistor between base and emitter.
3) Built-in damper diode.
4) Complements the 2SD2618.
!
!Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
80
7
4
2
30
150
55~+150
Unit
V
A
ICP
6
*
A(Pulse)
W(Ta = 25
°C)
W(Tc = 25
°C)
°C
* Single pulse, Pw = 100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
!External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TO-220FN
(2) Collector(Drain)
(3) Emitter(Source)
(1) Base(Gate)
0.75
0.8
2.54
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(3)
(2)
5.0
8.0
14.0
15.0
12.0
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
!
!Packaging specifications and hFE
Type
2SB1676
TO-220FN
1k~10k
-
500
Package
hFE
Code
Basic ordering unit (pieces)
!
!Circuit diagram
R 300
B
C
E
: Base
: Collector
: Emitter
B
E
C
R
!
!Electrical characteristics
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
80
7
-
1000
-
20
22
-
10
1.5
10000
-
V
A
V
-
MHz
*1
*2
pF
BVCBO
80
-
V
IC =
50A
IC =
1mA
IE =
50A
VCB =
80V
VEB =
5V
IC/IB =
2A/4mA
VCE/IC =
3V/2A
VCE =
5V , IE = 0.5A , f = 10MHz
VCB =
10V , IE = 0A , f = 1MHz
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Collector-emitter breakdown voltage
*1 Measured using pulse current.
*2 Transition frequency of the device.
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PDF描述
2SB1686 6 A, 110 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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2SB1691WL- 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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