參數(shù)資料
型號： 2SB1683
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： 140V / 12A, AF 60W Output Applications
中文描述： 140伏特/ 12A條，自動對焦60瓦輸出應用
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 29K
代理商： 2SB1683
2SB1683 / 2SD2639
No.6960-2/4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
C
IC -- VCE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
IC -- VBE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
IC -- VCE
200mA
0
0
--10
--20
--30
--40
0
--2
--6
--4
--8
--10
0
IT03152
--2
--1
--3
--4
--5
--6
--7
0
0
2
1
3
4
5
6
7
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IT03154
IT03155
IT03153
-20mA
-200mA
-160mA
--120mA
--40mA
--20mA
--80mA
2SB1683
IB=0
10
10
20
30
40
8
6
4
2
0
20mA
160mA
120mA
80mA
40mA
20mA
2SB1683
VCE= --5V
2SD2639
VCE=5V
2SD2639
RB
1
VCC=20V
VBE=--2V
(For PNP, the polarity is reversed)
51
Input
Output
+
+
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
RL
20
1
μ
F
1
μ
F
IB1
IB2
VR
200
10IB1= --10IB2=IC=1A
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
200*
Unit
DC Current Gain
hFE1
hFE2
fT
Cob
VBE
VCE(sat)
V(BR)CBO
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
VCE=(--)5V, IC=(--)6A
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
VCB=(--)10V, f=1MHz
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
IC=(--)5A, IB=(--)0.5A
IC=(--)5mA, IE=0
IC=(--)5mA, RBE=
∞
IC=(--)50mA, RBE=
∞
IE=(--)5mA, IC=0
See specified test circuit.
See specified test circuit.
See specified test circuit.
60*
20
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
15
MHz
pF
V
V
V
V
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
(300)210
1.5
2.5
(1.1)0.6
(--)160
(--)140
(--)140
(--)6
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Fall Time
Storage Time
V(BR)EBO
ton
tf
tstg
(0.25)0.26
(0.53)0.68
(1.61)6.88
* : The 2SB1683 / 2SD2639 are classified by 1A hFE as follows :
Rank
D
E
hFE
60 to 120
100 to 200
Switching Time Test Circuit
相關PDF資料
PDF描述
2SD2645 Color TV Horizontal Deflection Output Applications
2SD2646 Color TV Horizontal Deflection Output Applications
2SD2648 Color TV Horizontal Deflection Output Applications
2SD2678 3A / 12V Bipolar transistor
2SD2679 2A / 30V Bipolar transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1689T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1690KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1690TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1691WL-TL-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,50V,1A,MPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 1A 3-Pin MPAK T/R
2SB169300L 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 500MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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