參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1693
廠(chǎng)商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 500 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 82K
代理商： 2SB1693
1
Publication date: September 2003
SJC00292AED
Transistors
2SB1693
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplification
■
Features
Large collector current I
C
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and auto-
matic insertion through the tape packing and the magazine packing
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
40
20
15
0.5
1
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
V
Collector current
A
Peak collector current
I
CP
A
Collector power dissipation
P
C
T
j
200
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Unit: mm
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CE
=
2 V, I
C
=
100 mA
V
CE
=
2 V, I
C
=
500 mA
I
C
=
100 mA, I
B
=
10 mA
I
C
=
0.5 A, I
B
=
25 mA
V
CB
=
5 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
40
20
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
Forward current transfer ratio
*
h
FE1
160
560
h
FE2
V
CE(sat)
100
Collector-emitter saturation voltage
*
60
210
300
500
mV
Transition frequency
f
T
C
ob
170
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
16
pF
Marking Symbol: 3D
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Pulse measurement
0.40
+0.10
(
1
+
–
2
+
–
2
1
3
(0.95) (0.95)
1.9
±
0.1
2.90
+0.20
0.16
+0.10
0
±
0
5
10
0
1
+
–
1
+
–
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-59
Mini3-G1 Package
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PDF描述
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2SB1695TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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