參數資料
型號： 2SB1698T100
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, SC-62, 3 PIN
文件頁數： 1/3頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： 2SB1698T100
2SB1698
Transistors
Rev.A
1/2
Low frequency amplifier
2SB1698
Application
Low frequency amplifier
Driver
Features
1) A collector current is large.
2) VCE(sat)
≤ 370mV
at IC =1A / IB =50mA
Dimensions
(Unit : mm)
Abbreviated symbol: FL
Each lead has same dimensions
ROHM : MPT3
JEITA : SC-62
JEDEC: SOT-89
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
tj
tstg
Limits
30
6
1.5
500
150
55 to +150
3
1
Unit
V
A
mW
°C
2
W 2
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
1 Single pulse, PW=1ms
2 Mounted on a 40
+
40
+
0.7(mm)CERAMIC SUBSTRATE
Packaging specifications
2SB1698
T100
1000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Electrical characteristics
(Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
fT
280
MHz
VCE
=2V, IE=100mA, f=100MHz
BVCBO
30
V
IC
=10A
BVCEO
30
V
IC
=1mA
BVEBO
6
V
IE
=10A
ICBO
100
nA
VCB
=30V
IEBO
100
nA
VEB
=6V
VCE(sat)
200
370
mV
IC
=1A, IB=50mA
hFE
270
680
VCE
=2V, IC=100mA
Cob
13
pF
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
Pulsed
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PDF描述
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參數描述
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2SB1705TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1706TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1707TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1708TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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