參數(shù)資料
型號： 2SB1731
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low frequency amplifier
中文描述： 低頻放大器
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 74K
代理商： 2SB1731
2SB1731
Transistors
1/2
Low frequency amplifier
2SB1731
z
Application
Low frequency amplifier
Driver
z
Features
1) A collector current is large.
2) V
CE(sat)
≤
370mV
at I
C
=
1A / I
B
=
50mA
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
z
External dimensions
(Unit : mm)
(1)Base
(2)Emitter
(3)Collector
0
0
0
0.15Max.
2
1
0
(3)
(
(
1.7
2.1
0.2
0.2
0
0
ROHM : TUMT3
Abbreviated symbol : FL
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
30
30
6
1.5
3
400
150
55 to
+
150
Unit
V
V
V
A
A
mW
°
C
°
C
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, P
W
=
1ms
z
Packaging specifications
2SB1731
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
30
30
6
270
Typ.
200
Max.
100
100
370
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
f
T
280
13
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
100mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
30V
V
EB
=
6V
I
C
=
1A, I
B
=
50mA
V
CE
=
2V, I
C
=
100mA
Cob
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1739 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Compact Motor Driver Applications
2SB330 TRANSISTOR | BJT | PNP | 150MA I(C) | TO-5
2SD331C TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB
2SD331D TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB
2SD331E TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1731TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1732TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 12V 1.5A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1733TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V 1A PNP LOW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB176 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB187 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-1 -25V -.15A .2W
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