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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB561 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SB561 |
2SB561
3
Maximum Collector Dissipation
Curve
0.6
0.4
0.2
0
50
150
100
Ambient Tmperature Ta (
°
C)
C
C
Typical Output Characteristics
–500
–400
–300
–200
–100
0
–0.4
–2.0
–1.2
–0.8
–1.6
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
I
B
= 0
–0.5 mA
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
P
0 =
Typical Transfer Characteristics
–1,000
–300
–100
–30
–10
–3
–1
0
–0.4
–0.8
–0.2
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
C
C
–0.6
–1.0
V
CE
= –1 V
Ta = 75
°
C
25
°
C
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
V
= –1 V
Pulse
Ta = 75
°
C
25
°
C
3,000
1,000
300
100
30
10
–1
–3
–30
–300
–100
–1,000
–10
Collector Current I
C
(mA)
D
F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB562 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB566 | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB566A | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB566AK | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB566K | Silicon PNP Triple Diffused |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB561B | 制造商:n/a 功能描述:2SB561B TO92 S3B2A |
| 2SB561BTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB561C | 制造商:n/a 功能描述:2SB561C HIT N9H1G, S3B2D |
| 2SB561CTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB562 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:PNP Plastic Encapsulated Transistor |
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