- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370061 > 2SB632 (Sanyo Electric Co.,Ltd.) PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor for 25V/35V, 2A Low-Frequency Power Amplifier Applications(用于25V/35V，2A低頻功率放大器應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SB632 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor for 25V/35V, 2A Low-Frequency Power Amplifier Applications(用于25V/35V，2A低頻功率放大器應(yīng)用的PNP硅外延平面型晶體管) |
| 中文描述： | 進步黨硅外延平面晶體管的25V/35V，甲低頻功率放大器應(yīng)用（用于25V/35V，甲低頻功率放大器應(yīng)用的新進步黨硅外延平面型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 303K |
| 代理商： | 2SB632 |
2SB632, 632K/2SD612, 612K
No.341–7/9
r
m
a
P
l
b
m
y
I
C
S
s
n
o
n
o
C
p
y
t
U
m
m
B
d
B
d
W
%
k
t
)
e
C
e
C
t
e
c
r
s
e
Q
e
C
(
n
G
e
g
a
V
O
C
ID
VG
VG
PO
H
T
ri
e
g
e
F
a
a
t
o
F
N
0
1
=
D
PO
5
=
PO
5
=
t
e
p
O
v
D
h
W
h
W
H
T
0
1
0
6
4
7
8
6
A
A
g
N
B
%
W
W
n
G
e
g
a
V
B
6
9
r
w
c
o
m
a
d
e
p
o
P
r
H
m
t
p
O
l
T
p
n
n
o
D
e
D
c
n
I
0
Unit (resistance :
, capacitance : F)
Sample Application Circuit 2 :
2SD612-Used
4W Input Transtformer coupling Amplifier for Car Use.
[Specifications] V
CC
=13.2V, R
L
=4
, R
g
=600
, f=1kHz.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB646 | LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SD666/A |
| 2SB646A | LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SD666/A |
| 2SB648 | Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管) |
| 2SB648A | Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管) |
| 2SB649 | Silicon PNP Epitaxial |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB632D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
| 2SB632E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
| 2SB632F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
| 2SB632K | 制造商:JMNIC 制造商全稱:Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2SB632KD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。