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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB827-S |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | 2SB827-S |
2SB827/2SD1063
No.688–2/4
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7
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0
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9
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0s
Switching Time Test Circuit
Continued from preceding page.
PW=20
s
tr, tf≤15ns
VR
100
RB
1
VCC=20V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
10
1
F1F
IB1
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
(For PNP, the porality is reversed.)
--12
--10
--8
--6
--4
--2
2SB827
2SD1063
IC -- VCE
IB=0
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
600mA400mA
1A
200mA
ITR08473
0
--0.4
--1.4
--1.2
--1.0
--0.2
--0.6
--0.8
IC -- VCE
12
10
8
6
4
2
0
--12
--10
--8
--6
--4
--2
0
12
10
8
6
4
2
0
0.6
1.4
1.2
0.2
0.4
0.8
1.0
--80mA
--10mA
--60mA
--20mA
--40mA
--800mA
--400mA
--600mA
--200mA
--1A
--100mA
IB=0
ITR08472
2SB827
VCE= --2V
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.4
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR08474
2SD1063
VCE=2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.4
1.2
1.0
IC -- VBE
ITR08475
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1063-R | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB831BCTR | 700 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB831BBUR | 700 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB831BBTL | 700 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB831BBTR | 700 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB828 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO-3P-60V -12A 80W BCE |
| 2SB828Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR |
| 2SB828R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR |
| 2SB828S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR |
| 2SB829 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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