參數(shù)資料
型號: 2SB828-Q
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-3PB, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 37K
代理商: 2SB828-Q
2SB828/2SD1064
No.722–3/4
A S O
--1.0
5
7
2
3
5
7
2
3
--10
2
--0.1
--10
--1.0
25
3
57
7
2
5
37 --100
ICP=–17A
10ms
100ms
DC
operation
100ms
1ms
IC=–12A
ITR08492
1.0
5
7
2
3
5
7
2
3
10
2
0.1
10
1.0
25
3
57
7
2
5
37
100
DC
operation
2SB828
ICP=17A
1ms
IC=12A
ITR08493
2SD1064
A S O
VCE(sat) -- IC
2SD1064
--10
--0.1
2
35 7
2
35
7
2
35 7
2
--1.0
2
5
7
3
5
7
3
--10
2
5
7
3
2
--0.1
10
0.1
23
5
7
23
5
7
23
5
7
2
1.0
5
3
2
5
3
2
10
5
3
2
0.1
0.01
VCE(sat) -- IC
ITR08490
ITR08491
2SB828
I C
/ I B
=10
I C
/ I B
=20
I C
/ I B
=10
I C
/ I B
=20
0
90
50
40
30
80
70
60
20
10
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Tc
ITR08494
2SB828 / 2SD1064
hFE -- IC
2SB828
VCE= --2V
ITR08488
100
2
7
5
3
7
5
3
1000
2
7
5
3
2
10
100
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0.1
1.0
2
10
--1.0
3
27
53
27
53
27
7
3
25
7
3
25
7
3
25
5
--10
2
--0.1
hFE -- IC
2SD1064
VCE=2V
ITR08489
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
1ms to 100ms : single pulse
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector
Dissipation,
P
C
–W
Case Temperature, Tc – C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1064 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
2SD1064-R 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1113(K) 6 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1133B 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1133 4 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數(shù)描述
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2SB829 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB829Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR
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