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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB829-R |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | 2SB829-R |
2SB829/2SD1065
No.825–2/4
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S1
.
0s
Switching Time Test Circuit
Continued from preceding page.
VR
100
RB
1
VCC=20V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
10
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
(For PNP, the porarity is reversed.)
2SB829
VCE= --2V
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.4
--1.2
--1.0
IC -- VBE(on)
ITR08497
2SD1065
VCE=2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.4
1.2
1.0
IC -- VBE(on)
ITR08498
--20
--16
--12
--8
--4
--18
--14
--10
--6
--2
2SB829
2SD1065
IC -- VCE
IB=0
20mA
40mA
60mA
80mA
600mA
1A
200mA
ITR08496
0
--0.8
--2.0
--0.4
--1.2
--1.6
--0.6
--1.8
--0.2
--1.0
--1.4
IC -- VCE
20
16
12
8
4
18
14
10
6
2
0
--20
--16
--12
--8
--4
0
20
16
12
8
4
0
0.8
2.0
0.4
1.2
1.6
0.6
1.8
0.2
1.0
1.4
--20mA
--40mA
--60mA
--80mA
--1A
--600mA
--200mA
--100mA
IB=0
ITR08495
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE(on) – V
Collector
Current,
I C
–A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1065 | 15 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SD1065-Q | 15 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB829 | 15 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SB829-S | 15 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1115(K) | POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB829S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
| 2SB831 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY HITACHI TRANSISTORSC-59 SURFACE MOUNT |
| 2SB831B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-143RVAR |
| 2SB831BBTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SB831BCTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
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