參數(shù)資料
型號: 2SB829
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 15 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
封裝: TO-3PB, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 37K
代理商: 2SB829
2SB829/2SD1065
No.825–3/4
A S O
--1.0
5
7
2
3
5
7
2
3
--10
2
--0.1
--10
--1.0
25
3
57
7
2
5
37 --100
ICP=–20A
10ms
100ms
DC
operation
100ms
1ms
IC=–15A
ITR08505
1.0
5
7
2
3
5
7
2
3
10
2
0.1
10
1.0
25
3
57
7
2
5
37
100
DC
operation
2SB829
ICP=20A
1ms
IC=15A
ITR08506
2SD1065
A S O
VCE(sat) -- IC
2SD1065
--10
--0.1
--0.01
35
23
5
23
5
23
5
2
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5
3
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--0.1
--0.01
10
0.1
0.01
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5
23
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5
3
2
5
3
2
10
5
3
2
0.1
0.01
VCE(sat) -- IC
ITR08501
ITR08502
2SB829
I C
/ I B
=10
I C
/ I B
=20
I C
/ I B
=10
I C
/ I B
=20
--10
--0.1
23
5 7
3
5 7
23
5 7
23
2
--1.0
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--1.0
--10
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
7
5
3
2SB829
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10
0.1
23
5 7
3
5 7
23
5 7
23
2
1.0
10
7
5
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2
100
7
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2
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3
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VBE(sat) -- IC
ITR08504
2SD1065
hFE -- IC
2SB829
VCE= --2V
ITR08499
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2
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10
0.1
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10
--1.0
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53
7
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23
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7
5
2
7
3
25
7
35
2
7
32
3
5
--10
2
--0.1
hFE -- IC
2SD1065
VCE=2V
ITR08500
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector Current, IC –A
Collector Current, IC – A
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB829-S 15 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1115(K) POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1115(K) POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1115K 3 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD111 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
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