參數(shù)資料
型號： 2SB852KB
英文描述： TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 32V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-59
中文描述： 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|進(jìn)步黨| 32V的五（巴西）總裁| 300mA的一（c）|律師- 59
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 29K
代理商： 2SB852KB
2SB857, 2SB858
4
Package Dimensions
0.5
± 0.1
2.54
± 0.5
0.76
± 0.1
14.0
±0.5
15.0
±0.3
2.79
±0.2
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7.8
±0.5
10.16
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2.54
± 0.5
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± 0.15
4.44
± 0.2
2.7 MAX
1.5 MAX
11.5 MAX
9.5
8.0
1.27
6.4
+0.2
–0.1
φ 3.6 +0.1
-0.08
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
TO-220AB
Conforms
1.8 g
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB856A Dual/Triple-Voltage µP Supervisory Circuits
2SB857C TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
2SB858C Dual/Triple-Voltage µP Supervisory Circuits
2SB858D TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
2SB859B TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB852KT146 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SB852KT146B 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL PNP 32V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SB855 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY HITACHI TRANSISTORTO-220AB -50V -2A 20W BCE
2SB856 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY HITACHI TRANSISTOR TO -50V -3A 25W BCE
2SB856A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
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