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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB913 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 封裝： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SB913 |
2SB913/2SD1230
No.1034–3/4
--0.1
7
23
5
--1.0
7
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5
--10
5
3
2
--1.0
5
3
7
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--10
0.1
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1.0
7
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5
10
5
3
2
1.0
5
7
VCE(sat) -- IC
25
°C
2SD1230
IC / IB=500
120°C
25°C
120°C
Ta= --40°C
VCE(sat) -- IC
ITR08718
ITR08719
2SB913
IC / IB=500
25°C
2SD1230
IC / IB=500
120°C
25
°C
120°C
2SB913
IC / IB=500
VBE(sat) -- IC
--1.0
--10
7
5
3
2
7
5
ITR08720
VBE(sat) -- IC
ITR08721
Ta=120
°C
--40°
C
Ta=120
°C
--40°
C
hFE -- IC
2SB913
VCE= --3V
2SB913
VCE= --3V
ITR08716
1000
10000
7
5
3
2
7
5
7
5
3
2
100
1000
10000
7
5
3
2
7
5
7
5
3
2
100
7
0.1
3
25
1.0
7
3
25
10
--1.0
7
3
25
--10
7
3
25
--0.1
hFE -- IC
25°
C
2SD1230
VCE=3V
ITR08717
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
T
a=120
°C
--40
°C
--8
--2
--6
--4
0
8
6
4
2
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.4
--2.0
IC -- VBE
ITR08714
2SD1230
VCE=3V
25
°C
0.4
0.8
1.2
1.6
2.4
2.0
IC -- VBE
ITR08715
25°C
Ta= --40°C
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB915 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO-3 -70V -15A 80W BEC |
| 2SB918 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-250V -.5A .5W ECB |
| 2SB919 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-220AB -60V -8A 30W BCE |
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| 2SB919R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
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