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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB926-S |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | NP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SB926-S |
2SB926 / 2SD1246
No.1030-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA, pulse
(--0.35)0.18
(--0.6)0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0A
(--)30
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)25
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0A
(--)6
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7522-002
12
3
5.0
4.0
0.45
0.44
0.5
1.3
5.0
0.6
2.0
14.0
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : NP
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV
Collector
Current,
I
C
-
A
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
ITR08779
0
--200
--400
--600
--800
--1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
200
400
600
800
1000
2SB926
IB=0mA
ITR08780
IB=0mA
2mA
4mA
6mA
8mA
50mA
40mA
30mA
20mA
10mA
2SD1246
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--10mA
--20mA
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--250mA
--200mA
--150mA
--100mA
--50mA
--40mA
--30mA
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PDF描述 |
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