參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC1567
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 0.5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 93K
代理商： 2SC1567
Power Transistors
2SC1567, 2SC1567A
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: February 2003
SJD00092BED
For low-frequency high power driver
Complementary to 2SA0794, 2SA0794A
■
Features
High collector-emitter voltage (Base open) V
CEO
Optimum for the driver stage of low-frequency and 40 W to 100 W
output amplifier
TO-126B package which requires no insulation plate for installa-
tion to the heat sink
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
3.2
±
0.2
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Rank classification
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
(Emitter open)
2SC1567
V
CBO
100
V
2SC1567A
120
Collector-emitter voltage
(Base open)
2SC1567
V
CEO
100
V
2SC1567A
120
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
5
V
Collector current
0.5
A
Peak collector current
I
CP
1
A
Collector power dissipation
P
C
T
j
1.2
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage
(Base open)
2SC1567
V
CEO
I
C
=
100
μ
A, I
B
=
0
100
V
2SC1567A
120
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
h
FE1 *
I
E
=
1
μ
A, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
150 mA
V
CE
=
5 V, I
C
=
500 mA
I
C
=
500 mA, I
B
=
50 mA
I
C
=
500 mA, I
B
=
50 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
5
V
Forward current transfer ratio
130
330
h
FE2
50
100
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
V
BE(sat)
0.2
0.4
V
Base-emitter saturation voltage
0.85
1.20
V
Transition frequency
f
T
C
ob
120
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
11
20
pF
1: Emitter
2: Collector
3: Base
TO-126B-A1 Package
8.0
+0.5
1
±
0
3
±
0
3
±
0
1
±
0
1
±
1
0.75
±
0.1
0.5
±
0.1
2.3
±
0.2
4.6
±
0.2
0.5
±
0.1
1.76
±
0.1
1
2
3
φ
3.16
±
0.1
Rank
R
S
h
FE1
130 to 220
185 to 330
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC1567A FILTER PLATE
2SC1568 FILTER PLATE Bushing #8
2SC1569 General Purpose Filters RoHS Compliant: Yes
2SC1573 FILTER PLATE
2SC1573A Silicon NPN triple diffusion planer type(For high breakdown voltage general amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC1567/2SC1567A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SC1567. 2SC1567A - NPN Transistor
2SC15670R 功能描述:TRANS NPN 100VCEO .5A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC15670S 功能描述:TRANS NPN 100VCEO .5A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC1567A 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-126B120V .5A 1.2W ECB
2SC1567AP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-126
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