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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC2056 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in VHF band portable or hand-held radio applications) |
| 中文描述： | 瑞展的類型（在VHF頻段的便攜式或手持射頻功率放大器手提無線應(yīng)用） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 179K |
| 代理商： | 2SC2056 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2068 | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS) |
| 2SC2073A | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, VERTICAL OUTPUT APPLICATIONS) |
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| 2SC2076 | Si NPN Epitaxial Planar |
| 2SC2085 | SILICON PNP TRIPLE-DIFFUSED PLANAR TYPE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SC2058 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR |
| 2SC2058S | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High-frequency Amplifier Transistor(25V, 50mA, 300MHz) |
| 2SC2058STPP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 25V 0.05A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC2059K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SOT-23VAR |
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