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參數資料
| 型號： | 2SC2231 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS) |
| 中文描述： | 硅npn型三重擴散型（厘工序） |
| 文件頁數： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 122K |
| 代理商： | 2SC2231 |
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2231A | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS) |
| 2SC2235 | TRANSISTOR (AUDIO POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SC2236 | TRANSISTOR (AUDIO POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SC2237 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR) |
| 2SC2238 | SILICON NPN EPITAXIAL TRANSISTOR (PCT PROCESS) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC2231A | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS) |
| 2SC2233 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC2235 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC2235(T6KMAT,F,M | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SC2235_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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