型號: | 2SC2235-Y |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 63K |
代理商: | 2SC2235-Y |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SC2235L-O-T9N-B | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SC2235L-Y-T9N-B | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SC2235G-O-T9N-K | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SC2235L-Y-T9N-K | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SC2235L-O-T9N-K | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SC2235-Y(6MBH1,AF | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
2SC2235-Y(DNSO,AF) | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
2SC2235-Y(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 120V 0.8A 120 to 240 LSTM 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 120V 0.8A 120 to 240 LSTM Bulk |
2SC2235-Y(F,M) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 120V 0.8A TO-92 |
2SC2235-Y(MBSH1,FM | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |