參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC2590
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 0.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126B-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： 2SC2590
Power Transistors
2SC2590
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: January 2003
SJD00100BED
For low-frequency power amplification
■
Features
Excellent collector current I
C
characteristics of forward current
transfer ratio h
FE
High transition frequency f
T
TO-126B package which requires no insulation plate for installa-
tion to the heat sink
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
3.2
±
0.2
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
=
100
μ
A, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
150 mA
V
CE
=
5 V, I
C
=
500 mA
I
C
=
300 mA, I
B
=
30 mA
I
C
=
300 mA, I
B
=
30 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
120
V
Emitter-base voltage (Collector open)
Forward current transfer ratio
*1
V
EBO
h
FE1
*2
h
FE2
5
V
90
220
65
100
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
1.0
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE(sat)
f
T
C
ob
1.2
V
Transition frequency
200
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
11
20
pF
Rank
Q
R
h
FE1
90 to 155
130 to 220
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
120
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
120
V
Emitter-base voltage (Collector open)
5
V
Collector current
I
C
0.5
A
Peak collector current
I
CP
P
C
1.0
A
Collector power dissipation
1.2
W
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
1: Emitter
2: Collector
3: Base
TO-126B-A1 Package
8.0
+0.5
1
±
0
3
±
0
3
±
0
1
±
0
1
±
1
0.75
±
0.1
0.5
±
0.1
2.3
±
0.2
4.6
±
0.2
0.5
±
0.1
1.76
±
0.1
1
2
3
φ
3.16
±
0.1
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