- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄371499 > 2SC2629 (Mitsubishi Electric Corporation) NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC2629 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR) |
| 中文描述： | 瑞展式（射頻功率晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 2SC2629 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2630 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR) |
| 2SC2638 | TRANSISTOR (VHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SC2639 | TRANSISTOR (VHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SC2640 | TRANSISTOR (VHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SC2641 | TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC2631 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC26310RA | 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 50MA TO-92 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC2631QRSTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC26320R | 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 50MA TO-92L RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC2632R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。