型號: | 2SC2712-GRTE85R |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大小: | 114K |
代理商: | 2SC2712-GRTE85R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SC2712-GRTE85L | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC2712-BLTE85R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC2712-OTE85R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SC2712-BLTE85L | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC2733 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SC2712-OTE85LF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN S-MINI 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistors Bipolar - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans |
2SC2712S-GR,LF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC2712S-Y,LF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |