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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC2712OTE85L |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SC2712OTE85L |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2712-GRTE85R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2712-GRTE85L | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2712-BLTE85R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2712-OTE85R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SC2712-BLTE85L | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC2712-OTE85LF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN S-MINI 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistors Bipolar - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans |
| 2SC2712S-GR,LF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC2712S-Y,LF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC2712S-Y,LF(D | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS NPN 50V 150MA S-MINI 制造商:Toshiba 功能描述:SMALL-SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2712Y | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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