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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC3059 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | Silicon High Speed Power Transistor |
| 中文描述： | 高速硅功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/20頁 |
| 文件大小： | 640K |
| 代理商： | 2SC3059 |
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3060 | Silicon High Speed Power Transistor |
| 2SC3061 | Silicon High Speed Power Transistor |
| 2SC3063 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For TV video output amplification) |
| 2SC3064 | NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor |
| 2SC3065 | NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC3060 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SC3061 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC3063 | 功能描述:TRANS NPN 300VCEO .1A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC3064 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor |
| 2SC3064E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | DIP |
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