參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3128
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 45K
代理商： 2SC3128
2SC3127, 2SC3128, 2SC3510
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
20
—
—
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
12
—
—
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter cutoff current
I
EBO
I
CBO
h
FE
Cob
—
—
10
μ
A
μ
A
V
EB
= 3 V, I
C
= 0
V
CB
= 12 V, I
E
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 20 mA
V
CB
= 5 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
V
CE
= 5 V, I
C
= 20 mA
V
= 5 V, I
C
= 20 mA,
f = 900 MHz
Collector cutoff current
—
—
0.5
DC current transfer ratio
30
90
200
Collector output capacitance
—
0.9
1.5
pF
Gain bandwidth product
f
T
PG
3.5
4.5
—
GHz
Power gain
—
10.5
—
dB
Noise figure
NF
—
2.2
—
dB
V
= 5 V, I
C
= 5 mA,
f = 900 MHz
Maximum Collector Dissipation Curve
600
400
200
0
50
100
150
200
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
2SC3510
2SC3128
2SC3127
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
1
2
5
10
20
50
100
0
40
80
120
160
200
D
F
V
CE
= 5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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