參數(shù)資料
型號: 2SC3309
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
中文描述: 硅npn型三重擴散型
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大小: 133K
代理商: 2SC3309
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
相關PDF資料
PDF描述
2SC3310 SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
2SC3311A Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SC3312 ECONOLINE: RSZ/P - 1kVDC
2SC3313 Silicon NPN epitaxial planer type(Silicon NPN epitaxial planer type)
2SC3314 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC3310 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SC3311 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC3311A 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR S-TYPE 60V .1A .3W ECB 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC3311A MATS 制造商:Distributed By MCM 功能描述:60V .1A .3W Ecb 2Sc3311A Matsushita Transistor S-Type
2SC3311A0A 功能描述:TRANS NPN AF AMP 50V 100MA NEW S RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR