參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3582
廠商： NEC Corp.
英文描述： MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： 微波低噪聲放大器NPN硅外延晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商： 2SC3582
3
2SC3582
0
0.5
2
1
5
4
3
7
6
1
5
10
50 70
I
C
-Collector Current-mA
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
N
V
CE
= 8 V
f = 1.0 GHz
S-PARAMETER
V
CE
= 8.0 V, I
C
= 5.0 mA, Z
O
= 50
f (MHz)
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
V
CE
= 8.0 V, I
C
= 20 mA, Z
O
= 50
S
11
0.668
0.425
0.294
0.214
0.167
0.132
0.098
0.073
0.071
0.070
S
11
45.8
61.5
73.2
79.4
79.5
79.8
75.2
72.0
63.7
60.6
S
21
S
21
S
12
0.049
0.063
0.088
0.103
0.123
0.147
0.175
0.192
0.215
0.221
S
12
83.5
76.3
68.5
64.5
60.8
55.9
50.7
47.9
44.2
38.0
S
22
0.833
0.681
0.620
0.580
0.561
0.549
0.561
0.573
0.595
0.617
S
22
26.9
31.1
36.0
40.8
46.3
53.4
60.3
69.1
71.8
78.0
11.385
7.014
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2.182
2.135
1.879
128.9
103.7
88.6
75.4
64.7
57.0
48.5
39.1
31.0
21.6
f (MHz)
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
S
11
0.333
0.195
0.158
0.156
0.146
0.143
0.134
0.132
0.131
0.130
S
11
51.4
49.2
44.3
41.0
35.8
30.7
25.8
22.3
20.0
17.8
S
21
S
21
S
12
0.053
0.064
0.078
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0.136
0.168
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0.234
0.238
S
12
97.5
90.1
80.3
70.0
64.2
58.1
53.2
47.3
41.3
36.5
S
22
0.638
0.585
0.573
0.549
0.537
0.524
0.524
0.524
0.557
0.579
S
22
29.7
31.8
35.0
38.2
42.4
57.1
55.4
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54.1
46.7
38.1
30.7
22.1
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