參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3599C
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-126
中文描述： 晶體管|晶體管| npn型| 120伏特五（巴西）總裁| 300mA的一（c）|至126
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
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代理商： 2SC3599C
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PDF描述
2SC3599D SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC3599E TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-126
2SC3599F SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC3600C TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126
2SC3600D SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC3599E 制造商:SANYO 功能描述:mom 120V 0.3A 100 to 200 TO-126 Bulk 制造商:Sanyo 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 0.3A 3-Pin TO-126
2SC3600 制造商:n/a 功能描述:_
2SC3600D 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SC3601E 功能描述:TRANS NPN 200V 150MA TO126-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3605 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANS. TO-9220V .08A .6W BEC
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