參數(shù)資料
型號： 2SC3646
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： 2SC3646
No.2005-2/4
2SA1416/2SC3646
Switching Time Test Circuit
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BV
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s
(
E
B
IC
I
,
A
m
0
4
)
–
(
=
B
A
m
0
4
)
–
(
=5
8
.
0
)
–
(2
.
1
)
–
(V
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k
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CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
0
1
)
–
(
=
E 0
=0
2
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)
–
(V
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O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
1
)
–
(V
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O
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E
)
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B
(
IE
I
,
A
0
1
)
–
(
=
C 0
=6
)
–
(V
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s
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S
)
0
4
(s
n
0
5s
n
INPUT
50V
50
RL
100
F
470
F
--5V
10IB1=--10IB2=IC=400mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
+
VR
PW=20
s
D.C.
≤1%
RB
IB1
IB2
ITR03526
IC -- VCE
0--2
--1
--4
--3
--5
2
14
35
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
0
--100
--300
--200
--400
--500
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
100
300
200
400
500
0
ITR03527
IC -- VCE
10
20
30
40
50
0
ITR03529
ITR03528
--40
--30
--50
--10
--20
0
IC -- VCE
--15
mA
--20
mA
--30
mA
--25
mA
--10
mA
--5mA
--3mA
--2mA
--1mA
IB=0
2SA1416
2SC3646
IB=0
IC -- VCE
2SA1416
15mA
20mA
30mA
25mA
10mA
5mA
3mA
2mA
1mA
--2.5
mA
--2.0mA
--1.5mA
--1.0mA
--0.5mA
IB=0
0.5mA
2.5
mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
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2SC3647-R 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SC3646S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3646T-P-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3646T-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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