型號(hào): | 2SC3646S |
英文描述: | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 100V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|采用SOT - 89 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/3頁(yè) |
文件大?。?/td> | 478K |
代理商: | 2SC3646S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SC3646T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
2SC3647R | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC3647S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-89 |
2SC3647T | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC3648R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-89 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SC3646S-P-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3646S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3646T-P-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3646T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC3647S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |