參數(shù)資料
型號： 2SC3647G-R-AB3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 330K
代理商： 2SC3647G-R-AB3-R
2SC3647
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
4 of 5
5
www.unisonic.com.tw
QW-R208-039,C
■
TYPICAL CHARACTERICS
0
1.2
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
0.4
0
0.4
1.0
2.4
1.6
0.8
0.2
0.8
1.2
IC -VBE
VCE = 5V
3
Collector Current, IC (A)
7
0.1
1.0
1000
100
hFE -IC
0.6
2.0
5
7
2
3
5
7
0.01 23
5 7
2
5 7
2 3
3
VCE = 5V
Co
llec
tor
to
E
m
itte
rS
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V
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,
V
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pu
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apa
ci
ta
nce
,c
ob
(pF)
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PDF描述
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2SA1418S 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
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參數(shù)描述
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2SC3647T-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3648S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3648T-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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