參數(shù)資料
型號： 2SC3661
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 300 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 30K
代理商： 2SC3661
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
High hFE, Low-Frequency
General-Purpose Amplifier Applications
Ordering number:ENN1854A
2SC3661
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
61704TN (PC)/N2098HA (KT)/4237AT/N195KI, TS No.1854–1/3
0.4
0.95 0.95
1.9
2.9
0.5
1.5
2.5
0.5
0.16
0 to 0.1
0.8
1.1
2
3
1
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C
Package Dimensions
unit:mm
2018B
[2SC3661]
Applications
Low frequency general-purpose amplifiers, drivers,
muting circuit.
Features
Ultrasmall-sized package permitting 2SC3661-used
sets to be made smaller, slimmer.
Adoption of FBET process.
High DC current gain (hFE=800 to 3200).
Low collector-to-emitter saturation voltage
(VCE(sat)≤0.5V).
High VEBO (VEBO≥15V).
C
Electrical Characteristics at Ta = 25C
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : CP
Marking : FY
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC3671-B 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3671 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3671-A 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3705 1200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126
2SC3732-A Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC3661-TB-E 制造商:SANYO 功能描述:TRANS, NPN, 25V, 0.3A, SOT23 Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 25V 0.3A SOT23
2SC3665-Y(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 3-Pin MSTM
2SC3665-Y(T2NSW,FM 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC3665-Y,T2F(J 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC3665-Y,T2NSF(J 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應(yīng)商器件封裝:MSTM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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