參數(shù)資料
型號： 2SC3929
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
中文描述： 50 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： 2SC3929
1
Transistor
2SC3929, 2SC3929A
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency output amplification
Complementary to 2SA1531 and 2SA1531A
I
Features
G
Low noise voltage NV.
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
G
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to
emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
35
55
35
55
5
100
50
150
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
2SC3929
2SC3929A
2SC3929
2SC3929A
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base
voltage
Collector to emitter
voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter voltage
Noise voltage
Transition frequency
Symbol
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*
V
CE(sat)
V
BE
NV
f
T
Conditions
V
CB
= 10V, I
E
= 0
V
CE
= 10V, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 2mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 2mA
I
C
= 100mA, I
B
= 10mA
V
CE
= 1V, I
C
= 100mA
V
CE
= 10V, I
C
= 1mA, G
V
= 80dB
R
g
= 100k
, Function = FLAT
V
CB
= 5V, I
E
= –2mA, f = 200MHz
min
35
55
35
55
5
180
typ
0.7
80
max
100
1
700
0.6
1
150
Unit
nA
μ
A
V
V
V
V
V
mV
MHz
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
R
S
T
h
FE
180 ~ 360
260 ~ 520
360 ~ 700
2SC3929
SR
SS
ST
2SC3929A
TR
TS
TT
Marking symbol :
S
(2SC3929)
T
(2SC3929A)
Unit: mm
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–70
S–Mini Type Package
2.1
±
0.1
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
+
–
0
+
–
2
±
0
1.25
±
0.1
0.425
0.425
1
3
2
0
0
0
0
0.2
±
0.1
Marking
Symbol
2SC3929
2SC3929A
2SC3929
2SC3929A
相關PDF資料
PDF描述
2SC3929A Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SC3930 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
2SC3931 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
2SC3932 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification / oscillation / mixing)
2SC3934 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency wide-band low-noise amplification)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SC39290RL 功能描述:TRANS NPN 35VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3929ASL 功能描述:TRANS NPN 55VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC39300CL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 30MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC39310CL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 15MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC3931GCL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 15MA S-MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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