參數(shù)資料
型號: 2SC3931
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
中文描述: VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SMINI3_G1, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 56K
代理商: 2SC3931
2
Transistor
2SC3931
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— I
B
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
Z
rb
— I
E
C
re
— V
CE
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
240
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
18
6
12
0
12
10
8
6
4
2
Ta=25C
I
B
=100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
20
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
180
60
120
0
12
10
8
6
4
2
V
=6V
Ta=25C
Base current I
B
(
μ
A)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
30
25
20
15
10
5
V
CE
=6V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(mA)
3
30
0
360
300
240
180
120
60
V
CE
=6V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
0
–1
–10
–100
– 0.3
Emitter current I
E
(mA)
–3
–30
1200
1000
800
600
400
200
V
=6V
Ta=25C
T
T
0
– 0.3
Emitter current I
E
(mA)
–1
–3
–10
120
100
80
60
40
20
V
=6V
f=2MHz
Ta=25C
R
r
)
0.1
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
1
10
100
0.3
3
30
0
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
I
=1mA
f=10.7MHz
Ta=25C
C
r
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC3932 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification / oscillation / mixing)
2SC3934 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency wide-band low-noise amplification)
2SC3935 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification/oscillation/mixing)
2SC3936 Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
2SC3937 Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC39310CL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 15MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC3931GCL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 15MA S-MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC39320SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC39320TL 功能描述:TRANS NPN HF AMP 20VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC3932GSL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR