參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3931G-D
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 277K
代理商： 2SC3931G-D
1
Transistors
Publication date: April 2007
SJC00358AED
2SC3931G
Silicon NPN epitaxial planar type
For high-frequency amplification
■ Features
Optimum for RF amplification of FM/AM radios
High transition frequency f
T
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
30
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
3V
Collector current
IC
15
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC
= 10 A, I
E
= 030
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = 10 A, IC = 03
V
Base-emitter voltage
VBE
VCB = 6 V, IE = 1 mA
720
mV
Forward current transfer ratio *
hFE
VCB
= 6 V, I
E
= 1 mA
65
260
Transition frequency
fT
VCB = 6 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
450
650
MHz
Common-emitter reverse transfer
Cre
VCB = 6 V, IE = 1 mA, f = 10.7 MHz
0.8
1.0
pF
capacitance
Power gain
GP
VCB = 6 V, IE = 1 mA, f = 100 MHz
24
dB
Noise figure
NF
VCB
= 6 V, I
E
= 1 mA, f = 100 MHz
3.3
dB
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
C
D
hFE
65 to 160
100 to 260
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
■ Package
Code
SMini3-F2
Marking Symbol: U
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC3931G HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3938H 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4835H UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4835TX UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4780TX UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC39320SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC39320TL 功能描述:TRANS NPN HF AMP 20VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC3932GSL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SC3932GTL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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