參數資料
型號： 2SC3973A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
中文描述： 7 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F
封裝： TO-220, FULL PACK-3
文件頁數： 2/3頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2SC3973A
2
Power Transistors
2SC3973, 2SC3973A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
C
ob
— V
CB
t
on
, t
stg
, t
f
— I
C
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
60
50
40
30
20
10
(1)
(3)
(2)
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C
=2W)
(4)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
12
10
8
6
4
2
T
C
=25C
1000mA
800mA
600mA
400mA
300mA
200mA
100mA
I
B
=1200mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(A)
3
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=5
–25C
25C
T
C
=100C
C
C
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(A)
3
30
0.1
100
10
1
0.3
3
30
I
C
/I
B
=5
T
C
=–25C
25C
100C
B
B
0.1
1
10
100
0.3
Collector current I
C
(A)
3
30
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE
=5V
T
C
=–25C
100C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
1000
100
10
3
30
300
V
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
T
T
1
3
10
30
100
1
1000
100
10
3
30
300
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
0
8
2
6
4
7
1
Collector current I
C
(A)
5
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
t
stg
t
f
t
on
Pulsed t
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=5
(2I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=200V
T
C
=25C
S
o
,
s
,
f
μ
s
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
DC
10ms
1ms
t=0.5ms
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關PDF資料
PDF描述
2SC3974 Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC3975 Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC3976 RTS Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 15V; Output Voltage (Vdc): 12V; Power: 2W; Assembly; High Power Density; Optional Continuous Short Circuit Protected; Efficiency to 85%
2SC3977A Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
2SC3977 Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC3974 功能描述:TRANS NPN 500VCEO 7A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3975 功能描述:TRANS NPN 500VCEO 10A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3977 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FA 100V 1A 30W BCE
2SC3978 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FA 1000V 2A 35W BCE
2SC3979 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 3A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*