參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4059
廠商： Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd.
英文描述： Switching Power Transistor(15A NPN)
中文描述： 開關(guān)功率晶體管（第15A NPN）的
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大小： 526K
代理商： 2SC4059
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
●
Absolute Maximum Ratings
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Case : MTO-3P
FX Series
Switching Power Transistor
15A NPN
2SC4059
(T15W45FX)
Item
Symbol
Tstg
Tj
V
CBO
V
CEO
V
CEX
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
TOR
Conditions
Ratings
-55
～1
50
1
50
600
450
600
7
1
5
30
6
1
2
1
30
0.8
Unit
℃
℃
V
V
Storage Temperature
Junction Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
V
EB
= 5V
Emitter to Base Voltage
Collector Current DC
V
A
Collector Current Peak
Base Current DC
A
Base Current Peak
Total Transistor Dissipation
Mounting Torque
Tc = 25
℃
W
N
m
●
Electrical Characteristics (Tc=25
℃
)
Item
Collector to Emitter Sustaining Voltage
Symbol
V
CEO
(sus)
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
h
FEL
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
θ
jc
f
T
ton
ts
tf
Conditions
Ratings
Min 450
Max 0.
1
Max 0.
1
Max 0.
1
Min
1
0
Min 5
Max
1
.0
Max
1
.5
Max 0.96
STD 20
Max 0.5
Max 2.0
Max 0.2
Unit
V
mA
I
C
= 0.2A
At rated Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
At rated Voltage
mA
DC Current Gain
V
CE
= 5V, I
C
= 7.5A
V
CE
= 5V, I
C
=
1
mA
I
C
= 7.5A
I
B
=
1
.5A
Junction to case
V
CE
=
1
0V, I
C
=
1
.5A
I
C
= 7.5A
I
B
1
=
1
.5A, I
B2
= 3A
R
L
= 20
Ω
, V
BB2
= 4V
Collector to Emitter Saturation Voltage
V
V
Base to Emitter Saturation Voltage
Thermal Resistance
Transition Frequency
Turn on Time
Storage Time
Fall Time
℃
/W
MHz
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4060 Switching Power Transistor(20A NPN)
2SC4106 RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
2SC4107 RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
2SC4108 RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
2SC4109 RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC4059-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=15 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4059-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=15 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4060 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SC4060-4100 功能描述:兩極晶體管 - BJT RO 627-2SC4060-7100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4060-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=20 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*