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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC4102R |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | 2SC4102R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4642K | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4771KL | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1782KT147 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2226KU | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4097Q | 500 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4102S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70 |
| 2SC4102T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SC4102T106R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4102T106S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4102W | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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