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參數資料
| 型號： | 2SC4161-M |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 2SC4161-M |
2SC4161
No.2482-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
hFE1VCE=5V, IC=0.8A
15*
50*
DC Current Gain
hFE2VCE=5V, IC=4A
10
hFE3VCE=5V, IC=10mA
10
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=0.8A
20
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
80
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=4A, IB=0.8A
0.8
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=4A, IB=0.8A
1.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=1mA, IE=0A
500
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=5mA, RBE=∞
400
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=1mA, IC=0A
7
V
Collector-to-Emitter Sustain Voltage
VCEX(sus)
IC=3A, IB1=0.3A, IB2=--1.2A, L=1mH, Clamped
400
V
Turn-ON Time
ton
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A, RL=40, VCC=200V
0.5
s
Storage Time
tstg
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A, RL=40, VCC=200V
2.5
s
Fall Time
tf
IC=5A, IB1=1A, IB2=--2A, RL=40, VCC=200V
0.3
s
* : The hFE1 of the 2SC4161 is classified as follows. When specifying the hFE1 rank, specify two ranks or more in principle.
Rank
L
M
N
hFE
15 to 30
20 to 40
30 to 50
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7508-002
10.0
3.2
4.5
2.8
16.0
18.1
5.6
14.0
3.5
7.2
2.4
1.6
1.2
0.7
0.75
2.55
12
3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220ML
VR
RB
VCC=200V
VBE=--5V
++
50
INPUT
OUTPUT
RL
100F
470F
PW=20s
IB1
duty factor≤1%
IB2
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
200mA
100mA
300mA
600mA
700mA
400mA
500mA
1000mA
800mA
900mA
10
6
8
2
4
0
6
8
2
4
0
04
8
10
26
IB=0mA
ITR06401
VCE=5V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.4
1.2
1.0
ITR06402
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PDF描述 |
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參數描述 |
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