參數(shù)資料
型號： 2SC4212
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type
中文描述： 0.2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2SC4212
Power Transistors
2
2SC4212
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
P
C
T
a
I
C
V
CE
I
C
V
BE
C
ob
V
CB
Area of safe operation (ASO)
0
6
5
4
3
2
1
0
200
40
80
160
120
180
20
60
140
100
(1)With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(2)Without heat sink
(1)
(2)
Ambient temperature T
a
(C)
C
C
0
20
4
8
16
12
0
40
80
120
200
160
T
C
=25
C
1.4mA
1.2mA
0.8mA
0.6mA
0.4mA
0.2mA
I
B
=2.0mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
240
200
160
120
80
40
V
CE
=10V
T
C
=75
C
–
25
C
25
C
C
C
1
3
10
30
100
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
I
C
/I
B
=10
–
25
C
25
C
T
C
=100
C
Collector current I
C
(mA)
C
C
1
10
100
3
30
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE
=10V
T
C
=100
C
–
25
C
25
C
Collector current I
C
(mA)
F
F
–
1
–
3
Emitter current I
E
(A)
–
10
–
30
–
100
–
300
–
1000
0
40
80
120
200
160
V
CB
=30V
f=200MHz
T
C
=25
C
T
T
1
3
10
30
100
0
20
16
12
8
4
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25
C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
0.001
0.003
1
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
10
30
100
300
1000
Single pulse
T
C
=25
C
t=10ms
t=1s
DC
I
CP
I
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
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PDF描述
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