參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4460M-SV
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Switching Regulator Applications
中文描述： npn型三重?cái)U(kuò)散硅平面晶體管開關(guān)穩(wěn)壓器的應(yīng)用
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： 2SC4460M-SV
2SC4460M-SV
No.7692-2/4
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typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
DC Current Gain
hFE1
hFE2
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
VCEX(sus)
ton
tstg
tf
VCE=5V, IC=1.2A
VCE=5V, IC=6A
VCE=10V, IC=1.2A
VCB=10V, f=1MHz
IC=6A, IB=1.2A
IC=6A, IB=1.2A
IC=1mA, IE=0A
IC=5mA, RBE=
∞
IE=1mA, IC=0A
IC=5A, IB1=
--
IB2=2A, L=500
μ
H, clamped
VCC=200V,
5IB1=
--
2.5IB2=IC=7A
, RL=28.6
VCC=200V,
5IB1=
--
2.5IB2=IC=7A
, RL=28.6
VCC=200V,
5IB1=
--
2.5IB2=IC=7A
, RL=28.6
20
8
40
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collectoe-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Sustain Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
18
MHz
pF
V
V
V
V
V
V
μ
s
μ
s
μ
s
160
1
1.5
1000
500
7
500
0.5
3.0
0.3
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7505-002
Switching Time Test Circuit
VR
RB
VCC=200V
VBE= --5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
28.6
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
16.0
5.6
3.1
2.0
2
1
2
3
2.8
2.0
5.45
5.45
2
2
1.0
0.6
4
2
5
8
3
3.4
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-3PML
ITR07048
4
6
12
10
8
2
0
0
2
4
8
10
6
ITR07047
IB=0
mA
4
16
14
12
10
8
6
2
0
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.2
VCE=5V
300mA
200mA
100mA
50mA
20mA
600mA
500mA
400mA
800mA
1.2A
1.0A
1.4A
T=2
°
C
2
°
C
-0
°
C
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
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