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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC4486 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | NMP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SC4486 |
No.3026-4/5
2SA1706/2SC4486
A S O
7
1.0
2
3
5
0.1
3
0.01
2
5
3
2
5
7
35
7
2
5
37
2
5
37
1.0
10
ITR04302
2SA1706 / 2SC4486
ITR04301
ITR04303
VBE(sat) -- IC
--10
7
5
3
2
7
5
3
--1.0
--0.01
7
52
3
7
52
2
37
53
--0.1
--1.0
ITR04300
2SA1706
IC / IB=20
2SC4486
IC / IB=20
PC -- Ta
1.2
1.0
0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
140
120
160
20
060
40
80
2SA1706 / 2SC4486
Ta= --25°C
75°C
25°C
IC=2.0A
ICP=4.0A
1ms
100ms
10ms
DC
operation
Ta= --25°C
75°C
25°C
VCE(sat) -- IC
ITR04299
Ta=75°C
--25°C
25°
C
2SC4486
IC / IB=20
--0.01
57
3
2
23
5
7
2
3
5
7
--0.1
--1.0
3
2
7
5
3
2
7
5
--1000
--100
--10
VCE(sat) -- IC
ITR04298
Ta=
75°
C
25°
C
--25°
C
2SA1706
IC / IB=20
0.01
57
3
2
23
5
7
2
3
5
7
0.1
1.0
3
2
7
5
3
2
7
5
1000
100
10
7
5
3
2
7
5
3
1.0
0.01
7
52
3
7
52
2
37
53
0.1
1.0
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Ambient Temperature, Ta – C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
mV
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
mV
Ta=25
°C
Single pulse
(For PNP, minus sign is omitted.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1706-S | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1706T | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1706S | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1706 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1706R | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4486S-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4486T-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4487S-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4487T-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4488S-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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