型號: | 2SC4583-4100 |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | ITO-3P, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 39K |
代理商: | 2SC4583-4100 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SC4235-4100 | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SC4231-4000 | 2 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SC4230-4100 | 2 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SC458B | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SC458D | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SC4583-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4583-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4584-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4584-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=6 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4585 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |