參數(shù)資料
型號: 2SC4598M
英文描述: SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 400V五(巴西)總裁| 7A條一(c)|至252VAR
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大?。?/td> 33K
代理商: 2SC4598M
2SC4500(L)/(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
60
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
60
V
Emitter to base voltage
V
EBO
7V
Collector current
I
C
1A
Collector peak current
I
C (peak)
2A
Collector power dissipation
P
C
0.8
W
P
C*
1
8
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
60
V
I
C = 1 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7—
V
I
E = 0.1 mA, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
——
10
AV
CB = 60 V, IE = 0
DC current transfer ratio
h
FE
2000
V
CE = 10 V, IC = 500 mA*
1
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE (sat)
1.5
V
I
C = 500 mA, IB = 0.5 mA*
1
Base to emitter saturation
voltage
V
BE (sat)
2.0
V
I
C = 500 mA, IB = 0.5 mA*
1
Turn on time
t
on
100
ns
V
CC = 12 V, IC = 250 mA,
Turn off time
t
off
600
ns
I
B1 = –IB2 = 5 mA
Note:
1. Pulse Test.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4598N TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-252VAR
2SC458B TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SC458D TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SC458LGB TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SC458C SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC460 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC4604(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk
2SC4604,F(J 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC4604,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC4604,T6F(M 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1