參數(shù)資料
型號(hào): 2SC4617EBS
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: EMT3F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商: 2SC4617EBS
2SC4617EB
Transistors
1/3
General purpose small signal amplifier
(50V, 0.15A)
2SC4617EB
Features
1) Excellent hFE linearity.
2) Complements the 2SA1774EB.
Structure
NPN silicon epitaxial
planar transistor
Dimensions (Unit : mm)
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
Each lead has same dimensions
1.6
0.26
0.5 0.5
1.0
1.6
0.86
0.37
(1)
(2)
(3)
0.45
0.7
0.13
0.45
EMT3F
Abbreviated symbol : B
Absolute maximum (Ta=25
°C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
PD
Tj
Tstg
60
V
mA
mW
°C
50
7
150
IC
ICP
200
150
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
1
1 Pw=1ms Single pulse
2 Each terminal mounted on a recommended land
2
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC4617EBTLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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