參數(shù)資料
型號： 2SC4655C
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 225K
代理商： 2SC4655C
2SC4655
3
SJC00164BED
Cob VCB
bie gie
bre gre
bfe gfe
boe goe
1
10
100
0
1.6
1.2
0.4
1.0
1.4
0.8
0.2
0.6
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
020
16
412
8
0
12
10
8
6
4
2
yie
= g
ie
+ jb
ie
VCE
= 10 V
f
= 0.45 MHz
IE
= 0.1 mA
1 mA
2 mA
4 mA
7 mA
58
25
10.7
100
Input conductance g
ie (mS)
Input
susceptance
b
ie
(mS
)
0.5
0
0.1
0.4
0.2
0.3
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
yre
= g
re
+ jb
re
VCE
= 10 V
f
= 0.45 MHz
IE
= 7 mA
2 mA
4 mA
1 mA
0.4 mA
25
58
100
10.7
Reverse transfer conductance g
re (mS)
Reverse
transfer
susceptance
b
re
(mS
)
0
100
80
20
60
40
120
0
20
40
60
80
100
yfe
= g
fe
+ jb
fe
VCE
= 10 V
f
= 0.45 MHz
IE
= 7 mA
4 mA
2 mA
0.1
mA
0.4 mA
1 mA
0.45
10.7
25
100
58
Forward transfer conductance g
fe (mS)
Forward
transfer
susceptance
b
fe
(mS
)
0
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
yoe
= g
oe
+ jb
oe
VCE
= 10 V
f
= 0.45 MHz
IE
= 0.1 mA
7 mA
4 mA
2 mA
1 mA
0.4 mA
58
10.7
25
100
Output conductance g
oe (mS)
Output
susceptance
b
oe
(mS
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4663-4000 5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4054-4000 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4052-4100 3 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2SC4051-4100 3 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數(shù)描述
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2SC4656JRL 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC4662LF608 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC4662LF654 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC4663-4000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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