- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄49953 > 2SC4664 8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC4664 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大小： | 309K |
| 代理商： | 2SC4664 |
0
20
40
60
80
100
0
50
100
150
2SC4664
Collector Current Derating
Collector
Current
Derating
[%]
VCE = fixed
PT limit
IS/B limit
Case Temperature Tc [
°C]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4667RTE85L | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4667OTE85R | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4667TE85R | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4667YTE85R | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4667RTE85R | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4664-4000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4664-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4664-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4664-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4664-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。