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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC4667-R |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 422K |
| 代理商： | 2SC4667-R |
2SC4667
2007-11-01
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC4667
Ultra High Speed Switching Applications
Computer, Counter Applications
High transition frequency: fT = 400 MHz (typ.)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.3 V (max)
High speed switching time: tstg = 15 ns (typ.)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
40
V
Collector-emitter voltage
VCEO
15
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
200
mA
Base current
IB
40
mA
Collector power dissipation
PC
100
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
55~125
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-70
TOSHIBA
2-2E1A
Weight: 0.006 g (typ.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4667-Y | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4667-O | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4675 | 8 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4675R | 8 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4675S | 8 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4668-4100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4668-7061 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4668-7071 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4668-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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