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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC4668 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | EPACK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 319K |
| 代理商： | 2SC4668 |
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2SC4668
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0.002
I C
=
1A
2A
3.5A
5A
7A
10A
Tc
=
25
°C
Saturation
Voltage
14A
I C
=
1A
2A
3.5A
5A
7A
10A
14A
2
Base
Current
I
B
[A]
Collector-EmitterVoltage
VCE
[V]
Base-EmitterVoltage
VBE
[V]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4671 | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4672-TP | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4672-Q-TP | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4672L-A-AB3-R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4672-A-AB3-R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4668-4100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4668-7061 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4668-7071 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4668-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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