參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC4703
廠商： NEC Corp.
英文描述： Microwave Low Noise, Low Distortion Amplifier NPN Transistor(微波低噪聲、低失真放大器NPN晶體管)
中文描述： 微波低噪聲，低失真放大器NPN晶體管（微波低噪聲，低失真放大器npn型晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： 2SC4703
2
2SC4703
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Collector Cutoff Current
I
CBO
1.5
A
V
CB
= 20 V, I
E
= 0
Emitter Cutoff Current
I
EBO
1.5
A
V
EB
= 2 V, I
C
= 0
DC Current Gain
h
FE
50
250
V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
*1
Gain Bandwidth Product
f
T
6.0
GHz
V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
Collector Capacitance
*2
C
ob
1.5
2.5
pF
V
CB
= 5 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Insertion Gain
S
21e
2
6.5
8.3
dB
V
CE
= 5 V, I
C
= 50 mA, f = 1 GHz
8.5
V
CE
= 10 V, I
C
= 20 mA, f = 1 GHz
Noise Figure
NF
2.3
3.5
dB
V
CE
= 5 V, I
C
= 50 mA, f = 1 GHz
2nd Order
IM
2
55
dB
V
CE
= 5 V
Intermoduration Distortion
63
V
CE
= 10 V
3rd Order
IM
3
76
dB
V
CE
= 5 V
Intermoduration Distortion
81
V
CE
= 10 V
*1
Puls Measurement PW 350 s, Duty Cycle 2 %
*2
Emitter terminal should be connected to the guard terminal of the three terminal capacitance bridge.
h
FE
Classification
Class
SH
SF
SE
Marking
SH
SF
SE
h
FE
50 to 100
80 to 160
125 to 250
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
I
C
vs. V
CE
I
C
vs. V
BE
I
C
-
I
C
-
V
CE
-Collector to Emitter Voltage-V
V
BE
-Base to Emitter Voltage-V
I
B
= 0.7mA
V
CE=
10V
5V
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2
4
6
8
10
12
14
120
100
80
60
40
20
1000
100
100
10
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
C
= 50 mA,
V
O
= 105 dB /75
f = 190 MHz 90 MHz
I
C
= 50 mA,
V
O
= 105 dB /75
f = 2 190 MHz 200 MHz
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PDF描述
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