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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC4827F |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.2 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | FLP-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | 2SC4827F |
2SA1853/2SC4827
No.4717–3/4
Cob
Cre
Cob
Cre
5
7
5
3
2
7
2
--0.1
--1.0
35
7
2
3
57
2
--10
--100
ITR04903
VCE(sat) -- IC
2SA1853
IC / IB=10
7
5
3
2
7
2
1.0
10
57
2
3
5
7
--1.0
--10
23
5
7 --100
ITR04901
Cob, Cre -- VCB
2SA1853
f=1MHz
7
5
3
2
7
2
1.0
10
57
2
3
57
1.0
10
23
5
7
100
ITR04902
Cob, Cre -- VCB
2SC4827
f=1MHz
2SC4827
IC / IB=10
1000
100
3
5
7
5
7
2
35
7
3
57
22
--100
--10
f T -- IC
ITR04899
2SA1853
VCE= --30V
A S O
100
10
7
5
3
2
5
3
2
57
2
100
10
35
7
32
3
ITR04905
PC -- Ta
1.4
1.3
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
ITR04906
2SA1853 / 2SC4827
DC
operation
1ms
10m
s
IC=200mA
ICP=300mA
1000
100
3
5
7
5
7
2
35
7
3
57
22
100
10
f T -- IC
ITR04900
2SC4827
VCE=30V
5
7
5
3
2
7
2
0.1
1.0
35
7
2
3
57
2
10
100
ITR04904
VCE(sat) -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–M
H
z
Collector Current, IC – mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–M
H
z
Collector Current, IC – mA
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Re
v
erse
T
ransfer
Capacitance,
Cre
--
pF
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Re
v
erse
T
ransfer
Capacitance,
Cre
--
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector Current, IC – mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Ta=25
°C
Single pulse
(For PNP, minus sign is omitted.)
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Ambient Temperature, Ta – C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4827D | 0.2 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1854T | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1854S | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1858P | 70 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1864-TL | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4833-4000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4833-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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